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FMBT2907AW	文件：71.57 Kbytes Page：9 Pages	PNPSMDTransistor 600mAGeneralPurposeTransistorPNPSilicon Features •Highcollector-emitterbreakdownvoltage (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Capableof150mWpowerdissipation. •Lead-freepartsfor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
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详细参数

型号：
FXT2907ASM
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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