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FX6KMJ-3-A8

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 150 V • rDS(ON) (max) : 0.53 Ω • ID : – 6 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns

文件:209.1 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

FX8-100S-SV

HIROSE
SMD

HIROSEHirose Electric Company

广濑日本广濑电机株式会社

上传:深圳市宏捷佳电子科技有限公司

FX8C-140P-SV2

HRS
SMD

HRS

FXAS21002CQR1

FREESCALE
QFN

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市科恒伟业电子有限公司

FXL2T245L10X

Fairchild
MAC010A

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市创博伟业科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    FX6KMJ-3-A8

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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SOT263
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DIP
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2447
NA
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更多FX6KMJ-3-A8供应商 更新时间2025-10-10 11:10:00