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FW811-TL-E中文资料MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FW811-TL-E

功能描述

MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-18 9:36:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FW811-TL-E

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • FET 功能

    :逻辑电平门

  • 漏源电压(Vdss)

    :35V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :8A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :24 毫欧 @ 8A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :2.6V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :13nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :660pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    :2.2W

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :8-SOIC(0.173\,4.40mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :8-SOP

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