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IXFH8N80	文件：206.2 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs-N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fasti	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH8N80	文件：372.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSM8N80C	文件：2.56709 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MSF8N80	文件：727.8 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
NJ8N80	文件：733.04 Kbytes Page：6 Pages	8.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ8N80-BL	文件：733.04 Kbytes Page：6 Pages	8.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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