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MAX4970EWC	文件：169.1 Kbytes Page：9 Pages	Overvoltage-ProtectionControllerswithaLowRONInternalFET	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
ME4970A-G	文件：1.05184 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
N4970A	文件：2.58356 Mbytes Page：6 Pages	PRBSgenerator10Gb/s	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
NSL-4970	文件：20.5 Kbytes Page：1 Pages	TO-8PhotocellsHermeticPackage	SILONEX Luna Innovations Incorporated	SILONEX
NTD4970N	文件：299.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=21mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD4970N	文件：123.44 Kbytes Page：7 Pages	30V,36A,SingleN.Channel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD4970N	文件：113.41 Kbytes Page：7 Pages	30V,36A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD4970N	文件：123.44 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30V,36A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE4970	文件：26.04 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorUnidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics	NTE
PE4970	文件：265.8 Kbytes Page：2 Pages	CFemaleConnectorClamp/SolderAttachment4HoleFlangeForRG59,RG62,.718inchHoleSpacing	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK

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