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LN4913LR	文件：432.75 Kbytes Page：10 Pages	LowCurrentConsumption,HighSensitivityCMOSHallIC ■GeneralDescription TheLN4913isanintegratedhall-effectsensordesigned specificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices. e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,with batteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperature st	natlinearShanghai Nanlin Electronics Co. , Ltd. 南麟上海南麟电子股份有限公司	natlinear
LN4913MR	文件：432.75 Kbytes Page：10 Pages	LowCurrentConsumption,HighSensitivityCMOSHallIC ■GeneralDescription TheLN4913isanintegratedhall-effectsensordesigned specificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices. e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,with batteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperature st	natlinearShanghai Nanlin Electronics Co. , Ltd. 南麟上海南麟电子股份有限公司	natlinear
LN4913NR	文件：432.75 Kbytes Page：10 Pages	LowCurrentConsumption,HighSensitivityCMOSHallIC ■GeneralDescription TheLN4913isanintegratedhall-effectsensordesigned specificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices. e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,with batteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperature st	natlinearShanghai Nanlin Electronics Co. , Ltd. 南麟上海南麟电子股份有限公司	natlinear
LN4913SRA	文件：432.75 Kbytes Page：10 Pages	LowCurrentConsumption,HighSensitivityCMOSHallIC ■GeneralDescription TheLN4913isanintegratedhall-effectsensordesigned specificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices. e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,with batteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperature st	natlinearShanghai Nanlin Electronics Co. , Ltd. 南麟上海南麟电子股份有限公司	natlinear
LN4913SRB	文件：432.75 Kbytes Page：10 Pages	LowCurrentConsumption,HighSensitivityCMOSHallIC ■GeneralDescription TheLN4913isanintegratedhall-effectsensordesigned specificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices. e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,with batteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperature st	natlinearShanghai Nanlin Electronics Co. , Ltd. 南麟上海南麟电子股份有限公司	natlinear
LN4913TR	文件：432.75 Kbytes Page：10 Pages	LowCurrentConsumption,HighSensitivityCMOSHallIC ■GeneralDescription TheLN4913isanintegratedhall-effectsensordesigned specificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices. e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,with batteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperature st	natlinearShanghai Nanlin Electronics Co. , Ltd. 南麟上海南麟电子股份有限公司	natlinear
LN4913ZRA	文件：432.75 Kbytes Page：10 Pages	LowCurrentConsumption,HighSensitivityCMOSHallIC ■GeneralDescription TheLN4913isanintegratedhall-effectsensordesigned specificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices. e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,with batteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperature st	natlinearShanghai Nanlin Electronics Co. , Ltd. 南麟上海南麟电子股份有限公司	natlinear
LT4913	文件：61.72 Kbytes Page：1 Pages	UNDERSTANDINGTHESUBJECTISCUSTOMERSERVICE [L.E.D.TECHNOLOGYLTD] UNDERSTANDINGTHESUBJECTISCUSTOMERSERVICE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NTD4913N	文件：299.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD4913N	文件：147.64 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30V,32A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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