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FT150R12KE3GB4BDLA1数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
FT150R12KE3GB4BDLA1 |
| 参数属性 | FT150R12KE3GB4BDLA1 封装/外壳为模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 200A 700W |
| 功能描述 | MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4 |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-10 16:50:00 |
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FT150R12KE3GB4BDLA1规格书详情
简介
FT150R12KE3GB4BDLA1属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FT150R12KE3GB4BDLA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FT150R12KE3GB4BDLA1
- 生产厂家
：Infineon
- 配置
：3 个独立式
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：1200V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：200A
- 功率 - 最大值
：700W
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：2.15V @ 15V，150A
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：5mA
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）
：10.5nF @ 25V
- 输入
：标准
- NTC 热敏电阻
：无
- 工作温度
：-40°C ~ 125°C
- 安装类型
：底座安装
- 封装/外壳
：模块
- 供应商器件封装
：模块
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FANGTEK |
25+23+ |
QFN |
32626 |
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询价 | ||
MOLEX/莫仕 |
2508+ |
/ |
287692 |
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FANGTEK |
22+ |
QFN |
5000 |
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FANGTEK |
24+ |
QFN |
9000 |
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DALLAS |
23+ |
BGA300 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
模块 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
Module |
7000 |
询价 | |||
infineon |
23+ |
MODULE |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FANGTEK |
23+ |
QFN |
53782 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
