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FT1000BV-80中文资料High Power Devices-Thyristos General-use FT1000BV-80数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

FT1000BV-80

功能描述

High Power Devices-Thyristos General-use FT1000BV-80

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-10-1 11:16:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FT1000BV-80

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Repetitive peak off state voltage Max

    :4000V

  • Average on-state current Max

    :1000A

  • Turn-off time Max

    :-μS

  • Package type

    :Press Pack φ60

  • Surge on-state current Max

    :20000V

  • Gate trigger current Max

    :0.25mA

  • Junction temperature Max

    :125℃

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AMPHENOL/安费诺
2508+
原厂封装
309575
一级代理,原装现货
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23+
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