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FSWCSQ8H2G65DP03中文资料通信用FBAR/SAW器件 (FBAR Duplexers)数据手册TaiyoYuden规格书

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厂商型号

FSWCSQ8H2G65DP03

参数属性

FSWCSQ8H2G65DP03 封装/外壳为8-SMD,无引线;包装为卷带(TR);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频多路复用器;产品描述:RF FBAR DUPLEXER LTE BAND 7

功能描述

通信用FBAR/SAW器件 (FBAR Duplexers)
RF FBAR DUPLEXER LTE BAND 7

封装外壳

8-SMD,无引线

制造商

TaiyoYuden Taiyo Yuden (U.S.A.), Inc

中文名称

太阳诱电 太阳诱电株式会社

数据手册

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更新时间

2025-10-1 16:50:00

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FSWCSQ8H2G65DP03规格书详情

特性 Features

低实装损耗

高衰减

小体积

依托于高气密性的产品可靠性

考虑到环境的产品

简介

FSWCSQ8H2G65DP03属于RF/IF射频/中频RFID的射频多路复用器。由制造生产的FSWCSQ8H2G65DP03射频多路复用器射频多路复用器使用双向带通滤波器进行射频信号合路,以便通过单一同轴电缆传输,或将合路后的信号分路为独立信号,以便通过独立的同轴电缆传输。多路复用类型包括同向双工、反向双工、三工、四工和五工。多路复用器可根据频带、低频带衰减、高频带衰减、回波损耗和安装类型进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FSWCSQ8H2G65DP03

  • 生产厂家

    :TaiyoYuden

  • System

    :LTE

  • 类别

    :FBAR

  • 功能

    :Duplexer

  • band

    :Band 7

  • 插入损耗 (typ)(Tx-ANT/ANT-Rx)

    :2.0/2.0 dB

  • 绝缘 (typ)

    :61/56 dB

  • Input Power (max)

    :+31dBm

  • 终端阻抗

    :Unbalance

  • 尺寸 (L)

    :1.8 ±0.10 mm

  • 尺寸 (W)

    :1.4 ±0.10 mm

  • 尺寸 (T)

    :Max 0.54 mm

  • 使用温度范围

    :-30 to +85 ℃

  • RoHS Compliance (10 subst.)

    :Yes

  • REACH Compliance (240 subst.)

    :Yes

  • IEC62474 (Ver. D28.00) Compliance

    :Yes

  • Halogen Free

    :Yes

  • 适用焊接 方法

    :Reflow

  • 包装

    :Taping Embossed 15000pcs

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