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FSL31N20D	文件：1.58451 Mbytes Page：6 Pages	THINKI 40A,200V Matured Planar N-Channel Power MOSFETs Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IIRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB31N20	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20D	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：1.29966 Mbytes Page：6 Pages	THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FSL3206	SSS/南海半导体	23+	TO-252	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FSL3206	IR	22+	TO-262	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FSL3206	17	23+	TO-262TO-263	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FSL3206	IR	23+	TO-262	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	FSL3206	IR	23+	TO-262	7000		询价
深圳市创盛芯科技有限公司	FSL3206MOS(场效应管)	17	24+	TO-262TO-263	45000	原装现货假一赔十	询价
深圳市德正通电子有限公司	FSL-3216190PA-THSSPR	佛山照明	两年内		3980	原装正品现货,德为本,正为先,通天下!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FSL3247N	FAIRCHILD/仙童	23+	DIP-7	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳硅原半导体有限公司	FSL3276ALRN	ON现货	2022+	DIP-8	350000	专注工业、军工级别芯片,十五年优质供应商	询价
深圳市纳立科技有限公司	FSL3276ALRN		三年内		1983	只做原装正品	询价

更多FSL31N20D供应商更新时间2025-5-24 16:42:00

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