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FSL23A0D3	文件：72.36 Kbytes Page：8 Pages	6A, 200V, 0.350 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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FSL23A0D3

文件：72.36 Kbytes

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6A, 200V, 0.350 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin

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9A,200V,0.330Ohm,RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs

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详细参数

型号：
FSL23A0D3
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
6A, 200V, 0.350 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

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更多FSL23A0D3供应商更新时间2025-5-10 9:12:00

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