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FSE838CT数据手册FutureWafer中文资料规格书

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厂商型号

FSE838CT

功能描述

ESD Device

制造商

FutureWafer FutureWafer Tech Co.,Ltd

中文名称

未来芯

数据手册

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更新时间

2025-8-14 9:48:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FSE838CT

  • 生产厂家

    :FutureWafer

  • Breakdown Voltage

    :5.5 V.Min

  • Peak Pulse Current

    :5.0 A

  • Junction Capacitance

    :0.2 pF.Max

  • Configure

    :Uni-Dir

  • Peak Pulse Power

    :60 W

  • ESD Level

    :22 KV

  • Package

    :SOT-363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
DIP8
50000
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