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FS75R12W2T4_B11	文件：432.7 Kbytes Page：8 Pages	EasyPACK 2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FS75R12W2T4_B11	文件：715.47 Kbytes Page：9 Pages	EasyPACK Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FS75R12W2T4_B11_13	文件：715.47 Kbytes Page：9 Pages	EasyPACK Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FS75R12W2T4PB11BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER EASY	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
FS75R12W2T4_B11
功能描述：
IGBT 模块 IGBT 1200V 75A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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更多FS75R12W2T4_B11供应商更新时间2024-5-17 8:28:00

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