选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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nfineon模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
1689 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPEC75A1200V |
77 |
07+特价模块 |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT模块 |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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EUPEC模块 |
6000 |
12 |
原装正品现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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EUPECMODULE |
1200 |
23+ |
100%原装现货 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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55 |
23+ |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌?Module |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
1691 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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FS75R12KE3图片
FS75R12KE3价格
FS75R12KE3价格:¥724.5939品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FS75R12KE3多少钱,想知道FS75R12KE3价格是多少?参考价:¥724.5939。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FS75R12KE3批发价格及采购报价,FS75R12KE3销售排行榜及行情走势,FS75R12KE3报价。
FS75R12KE3GBOSA1资讯
FS75R12KE3G 深圳市湘瑞杰科技有限公司 0755-83265708
模块专营,大量优势库存。
FS75R12KE3GBOSA1中文资料Alldatasheet PDF
更多FS75R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS75R12KE3_B3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS75R12KE3_B9功能描述:IGBT 模块 IGBT Module 75A 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS75R12KE3G功能描述:IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS75R12KE3G_03制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:IGBT-modules