| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEON原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳良洲科技有限公司2年
留言
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INFINEONNA |
10000 |
23+ |
原装现货,实单价格可谈 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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1050 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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INFINEON原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IGBT |
55 |
23+ |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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EUPEC模块 |
6000 |
12 |
原装正品现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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EUPECMODULE |
1200 |
23+ |
100%原装现货 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌?Module |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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INFINEONMODULE |
15550 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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FS75R12KS4价格
FS75R12KS4价格：￥1340.7842品牌：INF
生产厂家品牌为INF的FS75R12KS4多少钱，想知道FS75R12KS4价格是多少？参考价：￥1340.7842。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FS75R12KS4批发价格及采购报价，FS75R12KS4销售排行榜及行情走势，FS75R12KS4报价。
FS75R12W2T4资讯
FS75R12W2T4中文资料Alldatasheet PDF
更多FS75R06KE3功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULES 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS75R06KF功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
FS75R06KF2功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
FS75R06KF3功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
FS75R06KL4制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:IGBT-inverter
FS75R07N2E4功能描述:IGBT 模块 IGBT Module 75A 650V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS75R07N2E4_B11制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 75A 650V
FS75R07W2E3B11A制造商:Infineon Technologies AG
FS75R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS75R12KE3_B3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
