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FS650R08A4P2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FS650R08A4P2规格书详情
特性 Features
优势:
简介
FS650R08A4P2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FS650R08A4P2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号：
FS650R08A4P2BPSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列：
HybridPACK™ DC6
- 包装：
托盘
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 配置：
三相反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.35V @ 15V，375A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
AG-HYBDC6I-1
- 描述：
HYBRID PACK 1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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