High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 150 V • rDS(ON) (max) : 86 mΩ • ID : 30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

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RENESAS

瑞萨

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –150 V • rDS(ON) (max) : 100 mΩ • ID : –30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns • Viso : 2000 V

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Infineon Technologies
Module

Infineon Technologies

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FORTUNE
SOT23-6

Fortune

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NXP
LQFP48

恩XP

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