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FS25R12NT3	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON	EON Eon Silicon Solution Inc. 相关企业：中科航电(深圳)半导体技术有限公司	EON
FS25R12NT3	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON	ONON Semiconductor 安森美安森美半导体(上海)有限公司相关企业：中科航电(深圳)半导体技术有限公司	ON

详细参数

型号：
FS25R12NT3
功能描述：
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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