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FS10C30CT	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	10.0 Ampere Surface Mount Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
S10C30	文件：222.42 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingan	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30A	文件：222.42 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingan	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30C	文件：222.42 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingan	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30CE	文件：160.8 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheeling	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30D	文件：222.42 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingan	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30PT	文件：68.08 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
SSR10C30	文件：142.86 Kbytes Page：2 Pages	10A/300VSchottkySiliconCarbide	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
U10C30	文件：191.88 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeDualUltrafastPowerRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
U10C30PT	文件：73.81 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

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