FS05MR12A6MA1B 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
FS05MR12A6MA1B
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
2500
产品封装：
NA
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-21 15:00:00

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原厂料号：FS05MR12A6MA1B品牌：INFINEON

IGBT

FS05MR12A6MA1B是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装NA/模块的FS05MR12A6MA1B晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

芯片型号：
FS05MR12A6MA1B
规格书：
下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
15 页
文件大小：
1661.3 kb
资料说明：
HybridPACK™ Drive module with CoolSiC™ Automotive MOSFET

产品属性

类型
描述
产品编号：
FS05MR12A6MA1BBPSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列：
HybridPACK™
包装：
管件
FET 功能：
碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
200A
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
AG-HYBRIDD-2
描述：
HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD

供应商

企业：
北京京北通宇电子元件有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
吴佳玉
手机：
18724450645
询价：
电话：
18724450645
地址：
北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505

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