FQPF8N80C中文资料Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 8 A, 1.55 Ω, TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF8N80C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•8A, 800V, RDS(on)= 1.55Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低（典型值：35nC)
•低 Crss（典型值13pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• LCD 电视
• LED 电视
• 家用音频系统组件
• 照明
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
技术参数
- 制造商编号
：FQPF8N80C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：8
- PD Max (W)
：59
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1550
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：35
- Ciss Typ (pF)
：1580
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
99750 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
FSC |
2014_GW |
TO-220F |
20 |
百分百原装正品现货/含16%增值税 |
询价 | ||
FSC/华晶 |
2012 |
TO220F |
800000 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
TO-220F |
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FSC |
2016+ |
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FSC |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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ON |
20+ |
SMD |
11520 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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