FQPF8N80C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FQPF8N80C规格书详情
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies.
特性 Features
• 8A, 800V, RDS(on)= 1.55Ω@VGS= 10 V
• Low gate charge ( typical 35 nC)
• Low Crss ( typical 13 pF)
• Fast switching
• 100 avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• RoHS Compliant
产品属性
- 型号：
FQPF8N80C
- 功能描述：
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2016+ |
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