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FQPF3N50C	文件：277.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：277.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF3N50C	文件：1.26958 Mbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：1.26958 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF3N50C	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQU3N50C	文件：1.04346 Mbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：1.04346 Mbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N50C	文件：907.53 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：907.53 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N50C	文件：900.22 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：900.22 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQPF3N50C
功能描述：
MOSFET N-CH/400V/ .6A/3.4OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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