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NTD20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?묬hannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,DPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotalGateCharge •LowerandTighterVSD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：80.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET20Amps,60Volts,N−ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：259.089 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=46mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD20N06G	文件：80.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET20Amps,60Volts,N−ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06G	文件：897.01 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD20N06HL	文件：897 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD20N06L	文件：127.87 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06L	文件：89.95 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06L	文件：272.53 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET-Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK/IPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV20N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications •PowerSupplies •Converters •Po	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
FQPF20N06L
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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