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STP5N30FI	文件：318.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STP5N30L	文件：198.87 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.25Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS) ■CHOPPER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP5N30L	文件：371.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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YA-UV5N30N	文件：295.46 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAVIOLETLEDLamp	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

详细参数

型号：
FQP5N30
功能描述：
MOSFET 300V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQP5N30供应商更新时间2025-7-25 16:12:00

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