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JCS16N25RC-R-AR	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS16N25RC-R-B	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS16N25RC-R-BR	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS16N25VC-V-B	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS16N25VC-V-BR	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
KF16N25D	文件：388.39 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=250V,ID=13A •Drai	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF16N25F	文件：388.96 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=250V,ID=16A •Drai	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSMD16N25C	文件：1.55234 Mbytes Page：7 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF16N25	文件：1.78609 Mbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB16N25E	文件：280.53 Kbytes Page：11 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FQP16N25C
功能描述：
MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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