FQI9N25中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

特性 Features

• 9.4A, 250V, RDS(on) = 0.42Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 15.5 nC)

• Low Crss ( typical 15 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

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