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KSM6N50	文件：2.02635 Mbytes Page：7 Pages	500VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD6N50C	文件：1.32858 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU6N50C	文件：1.32858 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NTP6N50	文件：60.81 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET6Amps,500VoltsN-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PHB6N50E	文件：77.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP6N50Eissupplied	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PHP6N50E	文件：77.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP6N50Eissupplied	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PHP6N50E	文件：371.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX6N50E	文件：318.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX6N50E	文件：73 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
RFP6N50	文件：32.82 Kbytes Page：4 Pages	6A,450Vand500V,1.250Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedand	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
FQD6N50CTF
功能描述：
MOSFET 500V N-CH Adv Q-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQD6N50CTF	onsemi(安森美)	24+	TO-252	9203	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市旺财半导体有限公司	FQD6N50CTF	Fairchild	23+		33500		询价

更多FQD6N50CTF供应商更新时间2025-7-29 16:12:00

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