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KF3N40W	文件：689.37 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=400V,ID=2A •Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KQB3N40	文件：62.65 Kbytes Page：2 Pages	400VN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSMD3N40	文件：1.3519 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3N40	文件：1.3519 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MDD3N40	文件：1.05505 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET400V,2.0A,3.4(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD3N40RH	文件：352.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDD3N40RH	文件：1.07623 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MDD3N40RH	文件：1.05505 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET400V,2.0A,3.4(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDHT3N40	文件：1.12945 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET400V,1.5A,3.4(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDHT3N40URH	文件：1.12945 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET400V,1.5A,3.4(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

详细参数

型号：
FQD3N40T
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQD3N40T供应商更新时间2025-7-27 16:12:00

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