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FQB9N50CFTM_WS	文件：747.58 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：747.58 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQB9N50CTM	文件：487.21 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 500 V, 9 A, 800 m廓 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：487.21 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQB9N50TM	文件：711.02 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：711.02 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQI9N50	文件：711.02 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：711.02 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQB9N50CFTM_WS
功能描述：
MOSFET 500V 9A N-CH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQB9N50CFTM_WS供应商更新时间2025-11-20 18:09:00

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