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JCS8N60FC-O-F-N-B	文件：1.42253 Mbytes Page：14 Pages	Highfrequencyswitchingmodepowersupply APPLICATIONS 1.Highefficiencyswitchmodepowersupplies 2.Electroniclampballastsbasedonhalfbridge 3.UPS FEATURES 1.Lowgatecharge 2.LowCrss(typical23pF) 3.Fastswitching 4.100avalanchetested 5.Improveddv/dtcapability 6.RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS8N60F-O-F-N-B	文件：823.32 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS 1.Highefficiencyswitchmodepowersupplies 2.Electroniclampballastsbasedonhalfbridge 3.UPS FEATURES 1.Lowgatecharge 2.LowCrss(typical23pF) 3.Fastswitching 4.100avalanchetested 5.Improveddv/dtcapability 6.RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS8N60RC-O-R-N-A	文件：1.42253 Mbytes Page：14 Pages	Highfrequencyswitchingmodepowersupply APPLICATIONS 1.Highefficiencyswitchmodepowersupplies 2.Electroniclampballastsbasedonhalfbridge 3.UPS FEATURES 1.Lowgatecharge 2.LowCrss(typical23pF) 3.Fastswitching 4.100avalanchetested 5.Improveddv/dtcapability 6.RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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详细参数

型号：
FQB8N60CTM_WS
功能描述：
MOSFET 600V, NCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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