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FQB6N50TM

600V N-Channel MOSFET

Features • 5.5A, 500V, RDS(on) = 1.3Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 17 nC) • Low Crss ( typical 11 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

文件:885.29 Kbytes 页数:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQD6N50C

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary planar stripe, DMOS technology

文件:687.06 Kbytes 页数:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQD6N50C

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:305.08 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FQD6N50CTM

N-Channel QFET MOSFET 500 V, 4.5 A, 1.2

文件:547.29 Kbytes 页数:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

  • 型号:

    FQB6N50TM

  • 功能描述:

    MOSFET 500V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FQB6N50TM供应商 更新时间2025-10-5 14:00:00