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RMP3N80LD	文件：267.19 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementMosfet Features 800V,3A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SSF3N80D	文件：468.55 Kbytes Page：8 Pages	MainProductCharacteristics	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF3N80D	文件：995.77 Kbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF3N80F	文件：1.26125 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF3N80F	文件：540.2 Kbytes Page：8 Pages	MainProductCharacteristics	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSFP3N80	文件：201.64 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSI3N80A	文件：348.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSP3N80A	文件：687.05 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):3.800W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP3N80A	文件：344.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSS3N80	文件：2.1211 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
FQB3N80TM
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQB3N80TM供应商更新时间2025-7-23 16:36:00

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