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JCS16N25RC-R-B	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS16N25RC-R-BR	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS16N25VC-V-B	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS16N25VC-V-BR	文件：1.09809 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
KF16N25D	文件：388.39 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=250V,ID=13A •Drai	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF16N25F	文件：388.96 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=250V,ID=16A •Drai	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSMD16N25C	文件：1.55234 Mbytes Page：7 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF16N25	文件：1.78609 Mbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB16N25E	文件：280.53 Kbytes Page：11 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB16N25E	文件：259.94 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET16AMPERES	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
FQB16N25TM
功能描述：
MOSFET 250V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQB16N25TM供应商更新时间2025-7-27 14:00:00

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