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FQB12N60C	文件：642.37 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：642.37 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB12N60C	文件：828.96 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：828.96 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB12N60CTM	文件：828.96 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：828.96 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB12N60C	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
FQB12N60C
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
600V N-Channel MOSFET

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