FQA22N30中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FQA22N30规格书详情
描述 Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
特性 Features
• 22A, 300V, RDS(on) = 0.16Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 47 nC)
• Low Crss ( typical 40pF)
• Fast switching
• 100 avalanche tested
• Improved dv/dt capability
产品属性
- 型号：
FQA22N30
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
24+ |
TO-3P |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-3P |
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仙童 |
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