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FPN660	文件：57.3 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Saturation Transistor PNP Low Saturation Transistor • These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. • Sourced from process PA. 文件：57.3 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FPN660	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Low Saturation Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FPN660	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A TO226	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FPN660A	文件：57.3 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Saturation Transistor PNP Low Saturation Transistor • These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. • Sourced from process PA. 文件：57.3 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FPN660A_D26Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A TO226	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FPN660A_D27Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A TO226	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FPN660
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
75MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-226
描述：
TRANS PNP 60V 3A TO226

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FPN660供应商更新时间2025-10-24 16:43:00

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