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FPF2C8P2NL07A数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FPF2C8P2NL07A

参数属性

FPF2C8P2NL07A 封装/外壳为F2 模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

功能描述

Power Integrated Module (PIM), F2, IGBT, 650 V, 30 A
IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

封装外壳

F2 模块

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 9:43:00

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FPF2C8P2NL07A规格书详情

描述 Description

Fairchild 的新型逆变器模块实现低导通损耗和开关损耗。 此外,压装技术提供简单、可靠的安装。 这些模块已针对需要高效率和稳健型设计的应用(如太阳能逆变器和 UPS)而优化。

特性 Features

•高效率
•低导通损耗和开关损耗
•场截止 IGBT,适用于内外部开关
•STEALTHTM 二极管,适用于通道二极管
•内置热敏电阻,实现温度监控

简介

FPF2C8P2NL07A属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FPF2C8P2NL07A晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FPF2C8P2NL07A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Power Integrated Module

  • Configuration

    :3-channel I-Type Inverter

  • IC Max (A)

    :30

  • V(BR) Max (V)

    :650

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.55

  • VF Typ (V)

    :2.55

  • Package Type

    :HF2BA-P34 / 34LD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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