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FPF1C2P5BF07A中文资料Power Integrated Module (PIM), F1, IGBT + MOSFET, 650 V, 90 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FPF1C2P5BF07A

功能描述

Power Integrated Module (PIM), F1, IGBT + MOSFET, 650 V, 90 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-24 20:00:00

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FPF1C2P5BF07A规格书详情

描述 Description

Fairchild 的新型 DC-DC 模块设计用于需要更紧凑型设计的功率级。 另外,压装技术提供简单、可靠的安装。 该模块已针对需要高效率和稳健型设计的应用诸如太阳能逆变器而优化。

特性 Features

•高效率
•低导通损耗和开关损耗
•低 RDS(ON): 90 mΩ 最大值
•快速恢复体二极管
•内置热敏电阻,实现温度监控

技术参数

  • 制造商编号

    :FPF1C2P5BF07A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Power Integrated Module

  • Configuration

    :H-Bridge with Pass Switch

  • IC Max (A)

    :27

  • V(BR) Max (V)

    :650

  • VCE(sat) Typ (V)

    :90 mohm

  • VF Typ (V)

    :N/A

  • Package Type

    :HF1CA-P24 / 24LD

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