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GBPC1208W	文件：244.58 Kbytes Page：8 Pages	BridgeRectifiers(GlassPassivated) Features IntegrallyMoldedHeat−SinkProvidedVeryLowThermal ResistanceforMaximumHeatDissipation SurgeOverloadRatingsfrom300Ato400A IsolatedVoltagefromCasetoLeadover2500V ULCertified,UL#E258596 TerminalsFinishMaterial Silver(SolderableperMIL−STD−202	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
GCX1208	文件：97.32 Kbytes Page：2 Pages	VARACTORDIODESSurfaceMountSOT23AbruptJunctionTM	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GFMQ1208	文件：111.34 Kbytes Page：2 Pages	CeramicCapacitorStacks	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GFWQ1208	文件：111.34 Kbytes Page：2 Pages	CeramicCapacitorStacks	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HA1208	文件：149.62 Kbytes Page：3 Pages	CrystalClockOsclilators	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ICS1208	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTINDUCTORICSSeries:ShieldedPowerChoke	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
IGD1208W	文件：511.42 Kbytes Page：2 Pages	InternalDC/DCConverter	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
IL1208AT	文件：146.66 Kbytes Page：9 Pages	Compatiblewithdualwave,vaporphaseandIRreflowsoldering DESCRIPTION The110°CIL1205AT/1206AT/1207AT/1208ATareopticallycoupledpairswithagalliumarsenideinfraredLEDandasiliconNPNphototransistor.Signalinformation,includingaDClevel,canbetransmittedbythedevicewhilemaintainingahighdegreeofelectricalisolationbetweeninput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IL1208AT	文件：152.89 Kbytes Page：8 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnectioninSOIC-8Package,110°CRated FEATURES •Operatingtemperaturefrom-55°Cto+110°C •HighBVCEO,70V •Isolationtestvoltage,4000VRMS •IndustrystandardSOIC-8surfacemountable package •Compatiblewithdualwave,vaporphaseandIR reflowsoldering •Lead(Pb)-freecomponent •Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IL1208AT	文件：153.2 Kbytes Page：8 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnectioninSOIC-8Package,110°CRated DESCRIPTION The110°C1206AT,1207AT,1208ATareopticallycoupled pairswithagalliumarsenideinfraredLEDandasiliconNPN phototransistor.Signalinformation,includingaDClevel, canbetransmittedbythedevicewhilemaintainingahigh degreeofelectricalisolationbetweeninputan	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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