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厂商型号

FPDA200V

功能描述

HIGH PERFORMANCE PHEMT WITH SOURCE VIAS

文件大小

57.52 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

FILTRONIC

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 20:00:00

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FPDA200V规格书详情

DESCRIPTION AND APPLICATIONS

The FPDA200V is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct write 0.25 mm by 200 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure minimizes parasitic gate-source and gate resistances. The epitaxial structure and processing have been optimized for high dynamic range.

FEATURES

♦ 21 dBm Output Power at 1-dB Compression at 18 GHz

♦ 12.5 dB Power Gain at 18 GHz

♦ 55 Power-Added Efficiency

♦ Source Vias to Backside Metallization

产品属性

  • 型号:

    FPDA200V

  • 制造商:

    FILTRONIC

  • 制造商全称:

    FILTRONIC

  • 功能描述:

    HIGH PERFORMANCE PHEMT WITH SOURCE VIAS

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