| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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15年
留言
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原装MODULE |
9835 |
25+ |
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热卖原装现货FP50R12W2T7-B11 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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17年
留言
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INFINEONMODULE |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
3000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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15年
留言
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INFINEONN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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13年
留言
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INFINEONIGBT |
1896 |
23+ |
本公司主营IGBT和配套驱动 |
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12年
留言
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infineonEasyPIM |
15000 |
25+ |
一级代理原装现货。 |
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16年
留言
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INFIEONIGBT |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
6885 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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16年
留言
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INFINEONIGBT |
3250 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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13年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-EASY2B-2 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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18年
留言
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INFINEONIGBT模块 |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-EASY2B-2 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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14年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
3000 |
26+ |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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3年
留言
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INFINEONMODULE |
1000 |
23+ |
全新原装现货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-EASY2B-2 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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10年
留言
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INFINEON/英飞凌模块 |
1050 |
25+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
20000 |
25+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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FP50R图片
FP50R06W2E3价格
FP50R06W2E3价格：￥289.8958品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FP50R06W2E3多少钱，想知道FP50R06W2E3价格是多少？参考价：￥289.8958。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FP50R06W2E3批发价格及采购报价，FP50R06W2E3销售排行榜及行情走势，FP50R06W2E3报价。
FP50R06W2E3资讯
FP50R12KT4BPSA1是一种IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
FP50R12KT4BPSA1
FP50R12W2T7-B11 原装正品
FP50R12W2T7-B11 原装正品 支持实单
FP50R12KT3英飞凌原装现货
FP50R12KT3 英飞凌原装现货 我司主营全系列IGBT模块与IPM模块 常备大量现货 FM600TU-07A VUO36-16NO8 MEO450-12DA ND260N12K MDD630-36N2 10103594-0001LF CM600HA-24A P089A P086A DSS2X101-015A DSEI2X101-06A IXFN180N20 PS21A79 PS21869-P PS219A4-CT FP50R12KT3 FP75R12KT4-B15 FP25R12W2T4
FP50R12KT4FP50R12KT3FP100R12KT4全新原装正品假一罚十
主营全系列全新模块 价格优势
FP50R12KT4G 主营英飞凌
全新原装，公司优势库存，做的是诚信，卖的是良心。
FP50R12KT3
FP50R12KT3 全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291
FP50R06W2E3中文资料Alldatasheet PDF
更多FP50R06KE3功能描述:IGBT 模块 N-CH 600V 60A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R06KE3G功能描述:IGBT 模块 N-CH 600V 60A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R06W2E3功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R06W2E3_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 50A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R12KE3V1功能描述:IGBT Module
FP50R12KS4C功能描述:IGBT 晶体管 1200V 50A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FP50R12KT3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R12KT4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R12KT4_B11功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
