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FP25R12U1T4数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FP25R12U1T4

参数属性

FP25R12U1T4 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 39A 190W

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1200V 39A 190W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 14:14:00

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FP25R12U1T4规格书详情

描述 Description

1200V  SmartPIM 1 IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and PressFIT Contact Technology

特性 Features

• Low Switching Losses
• Trench IGBT 4
• T(vj oi) = 150°C
• Low V(cesat)
• AI(2)O(3) Substrate for Low Thermal Resistance
• Rugged Duplex frame construction
• Self-acting PressFIT Assembly

优势:
• Safe and simple mounting process
• Reduced assembly time
• Reliable connection of module Pins and PCB
• Flexible mounting possibilities

简介

FP25R12U1T4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FP25R12U1T4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FP25R12U1T4

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :PIM

  • Technology

    :IGBT4 - T4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :25 A

  • OPN

    :FP25R12U1T4BPSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.85 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.75 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :SmartPIM 1

  • Features

    :PressFIT

  • Dimensions length

    :69.5 mm

  • Dimensions width

    :44 mm

  • Package name

    :AG-SMART1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INF
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