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FP2301F

P-Cha nnel Enhancement MOSFET

Features VDS=-20V,ID=-1.6A RDS(ON)=380mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) RDS(ON)=520mΩ@VGS=-2.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣电子唯圣电子有限公司

FTK2301

20VP-ChannelEnhancement-ModeMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK2301E

20VP-ChannelEnhancement-ModeMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK2301PP

20VDualP-ChannelMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

G2301

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

G2301

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

ETLE-Tech Electronics LTD

亚历电子亚历电子有限公司

GC2301

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GC2301

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

ETLE-Tech Electronics LTD

亚历电子亚历电子有限公司

GDSSF2301A

HighPowerandcurrenthandingcapability

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

GDSSF2301B

HighPowerandcurrenthandingcapability

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FP2301F供应商 更新时间2025-5-28 16:06:00