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FP15R12NT3	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON NA	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司相关企业：深圳市安富世纪电子有限公司	Infineon
FP15R12NT3	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON NA	EONEon Silicon Solution Inc. 宜扬科技宜扬科技股份有限公司相关企业：深圳市安富世纪电子有限公司	EON
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详细参数

型号：
FP15R12NT3
功能描述：
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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更多FP15R12NT3供应商更新时间2025-5-24 10:32:00

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