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FP150R12N3T7中文资料1200 V、150 A PIM IGBT 模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FP150R12N3T7

参数属性

FP150R12N3T7 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-711

功能描述

1200 V、150 A PIM IGBT 模块
LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-711

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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FP150R12N3T7规格书详情

描述 Description

EconoPIM ™ 3 1200 V、150 A 三相 PIM IGBT 模块,带有 TRENCHSTOP ™ IGBT7、发射极控制 7 二极管和 NTC。集成整流器和制动斩波器的 PIM(功率集成模块)可节省系统成本。

特性 Features

• TRENCHSTOP ™ IGBT7

• 低VCEsat和低开关损耗

• 过载运行温度高达175°C

• 2.5 kV AC 1分钟绝缘

• 高可靠性和功率密度

• 铜基板

• 优化的散热

• 高功率密度

• 焊接接触技术

• 符合RoHS标准

应用 Application

• 工业电机驱动和控制

简介

FP150R12N3T7属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FP150R12N3T7晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FP150R12N3T7

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ICmax

    :150 A

  • VCE(sat)(Tvj=25°C typ)

    :1.55 V

  • VCES / VRRM

    :1200 V

  • VF(Tvj=25°C typ)

    :1.72 V

  • Housing

    :EconoPIM™ 3

  • Dimensions(width)

    :62 mm

  • Dimensions(length)

    :122 mm

  • Technology

    :IGBT7 - T7

  • Features

    :Solder pin

  • Voltage Classmax

    :1200 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Configuration

    :PIM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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