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FP131DR-LF	文件：450.89 Kbytes Page：11 Pages	Over Current Protection IC	FEELINGFeeling Technology Corp. 远翔科技远翔科技股份有限公司	FEELING
FSS131	文件：28.22 Kbytes Page：4 Pages	LoadSwitchingApplications LoadSwitchingApplications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FTC131	文件：189.59 Kbytes Page：4 Pages	1A500V/600VBIDIRECTIONALTRIACS	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
GRF131	文件：1.03423 Mbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTHIGHREPEATABILITYSPDT,BROADBAND18GHZ,40GBPSNON-LATCHINGRFRELAY DESCRIPTION TheultraminiatureSeriesGRF131isdesignedtoprovide apracticalsurface-mountswitching solutionwithRFperformanceandrepeatabilityto 18GHz.TheGRF131improvesonTeledyneRelays’ heritageofminiatureRFrelaysbyincorporatingaprecision transmissionlinestructurein	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
HCX-D131	文件：189.59 Kbytes Page：1 Pages	For76.8V24SLiFePO4BatteryPacks	BESTECHBesTech Power Co., Ltd 百思特百思特电源有限公司	BESTECH
HVC131	文件：22.8 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC131	文件：82.66 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVC131	文件：31.44 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) Lowforwardresistance.(rf=1.0max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVD131	文件：22.77 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD131	文件：82.91 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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