| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
24+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)Module |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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6年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
26500 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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18年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
2 |
2022+ |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
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13年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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11年
留言
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INFINEONEASY1B |
2400 |
14 |
自己库存,原装正品假一赔百0755-27210160田生 |
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18年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)Module |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)Module |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌原装 |
32360 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌全新特价FP10R12W1T4BOMA1即刻询购立享优惠#长期有货 |
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13年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-EASY2-1 |
921 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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12年
留言
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EUPEC/欧派克模块 |
500 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
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8年
留言
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EUPEC模块 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
24+ |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)Module |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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12年
留言
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INFINEONN/A |
90000 |
25+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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5年
留言
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Infineon |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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FP10R06W1E3_B11价格
FP10R06W1E3_B11价格：￥146.9125品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FP10R06W1E3_B11多少钱，想知道FP10R06W1E3_B11价格是多少？参考价：￥146.9125。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FP10R06W1E3_B11批发价格及采购报价，FP10R06W1E3_B11销售排行榜及行情走势，FP10R06W1E3_B11报价。
FP10R12W1T4_B3资讯
FP10R12W1T7B11BOMA1
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FP10R12W1T4代理原装正品，大量现货，和诺泰科技
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FP10R12W1T4,全新原装现货当天发货0755-82732291或门市自取
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FP10R12W1T4_B3中文资料Alldatasheet PDF
更多FP10R06KL4功能描述:IGBT 模块 600V 10a Easy Mount RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP10R06KL4_B3功能描述:IGBT 模块 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP10R06KL4B3V6功能描述:IGBT Module
FP10R06W1E3功能描述:IGBT 模块 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP10R06W1E3_B11制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 10A 600V
FP10R06YE3功能描述:IGBT 模块 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP10R06YE3_B4功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP10R12KE3制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000100274_IGBT MODULE_TRAYS_RO
FP10R12NT3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 18A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP10R12W1T3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
