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FP100	文件：32.67 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPERFORMANCEPHEMT DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheFP100isanAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirectwrite0.25umby100umSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestructureminimize	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
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