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JE852HR	文件：74.34 Kbytes Page：3 Pages	SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY	HONGFAHongfa Technology 宏发电声厦门宏发电声股份有限公司	HONGFA
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KB852	文件：177.98 Kbytes Page：7 Pages	PHOTOCOUPLER	KingbrightKingbright Company LLC 今台电子今台电子股份有限公司	Kingbright
KRC852E	文件：113.58 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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LMV852	文件：1.07426 Mbytes Page：22 Pages	8MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV852	文件：1.44951 Mbytes Page：30 Pages	LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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详细参数

型号：
FOD852S
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 OPTO_LIGHTING
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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